近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线,由于硅传感器的上限约为1100nm,砷化铟镓(InGaAs)传感器是在近红外中使用的主要传感器,可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时,水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明,因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。
尼康LV150N 红外显微镜IR专用物镜可用于透过硅材料成像,进行半导体检查和测量。配备的5X到100X红外(IR)物镜,提供了从可见光波长到近红外的像差校正。对于高放大倍率的物镜,配备了IR系列带校正环的物镜,校正由样品厚度导致的像差,使用一个物镜即可获取清晰的图像。
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